HBM (High Bandwith Memory) paměti jsou společností AMD ve spolupráci s firmami SK Hynix, UMC, Amkor Technology a ASE vyvíjeny od roku 2008 [1]. Od roku 2013 byly HBM uznány jako standard organizací JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council). V jednoduchosti řečeno se jedná o paměti DDR3 a DDR4, které jsou na sebe poskládány a vertikálně propojeny (through-Silicon vias TSV). Tímto 3D uspořádáním (stohováním), kdy v jednom stohu jsou 4 vrstvy, je dosaženo vyšší propustnosti , nižší spotřeby a úspory místa. Díky těmto vlastnostem se HBM paměti mohou snáze integrovat třeba přímo na čip grafické karty, které vyžadují vysokou datovou propustnost.
Vlastnosti stohu [1]
- datová šířka pásma je 128 bit na kanál
- počet kanálů 8
- počet vrstev 4
- celková datová šířka je 1024 bitů
- napájecí napětí 1.2 V [2]
- propustnost stohu je 128 GB/s. Při paralelním zapojení pak až 1 TB/s [2].
Zdroj:
[Obrázek] – Wikimedia – „AMD Fiji GPU package with GPU, HBM memory and interposer“ by C. Spille/pcgameshardware.de – http://www.pcgameshardware.de/AMD-Radeon-Grafikkarte-255597/Tests/Radeon-R9-Fury-X-Test-1162693/galerie/2392895/. Licensed under CC BY-SA 4.0 via Commons.
[1] – https://en.wikipedia.org/wiki/High_Bandwidth_Memory
[2] – http://diit.cz/clanek/hbm-pameti-parametry-specifikace
